金属氧化物半导体集成电路
拼音：jīn shǔ yǎng huà wù bàn dǎo tǐ jí chéng diàn lù
注音：ㄐ一ㄣ ㄕㄨˇ 一ㄤˇ ㄏㄨㄚˋ ㄨˋ ㄅㄢˋ ㄉㄠˇ ㄊ一ˇ ㄐ一ˊ ㄔㄥˊ ㄉ一ㄢˋ ㄌㄨˋ
百科释义
金属氧化物半导体集成电路jīn shǔ yǎnɡ huà wù bàn dǎo tǐ jí chénɡ diàn lù 简称“mos集成电路”。由金属、氧化物和半导体场效应管组成的集成电路。工艺简单、输入阻抗高、集成度高、功耗低，但工作频率低。主要用于数字电路。分p沟道mos集成电路和n沟道mos集成电路两种。将两者互补构成互补型集成电路(cmos)。应用广泛。一种ＣＭＯＳ结构的超大规模集成电路，可不受配线电容、门输入电容的影响而高速工作。把电流输出型门用作发送侧门１１，且只在信号的跃迁期间使电容器５４充放电，其电流经电流密勒电路５５、５６放大后流过导通电路１５。接收侧门３１是低输入阻抗电流输...查看百科
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